阅读本文,可以了解氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 以及它们如何用于LiDAR(光探测和测距)应用。
十多年来,德州仪器 (TI) 的 Power Stage Designer™ 工具一直是一款出色的设计工具,可协助电气工程师计算不同电源拓扑的电流和电压
氮化镓正取代硅,越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中作为提供不间断连接的关键,许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如,在USB端口中,必须防止电流过大,以便为电路提供可靠的保护。同样,在充电宝中,必须防止电池放
相比传统的系统级芯片(SoC),Chiplet能够提供许多卓越的优势,如更高的性能、更低的功耗和更大的设计灵活性。因此,半导体行业正在构建一
众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,
一种古老但仍然相关的实现数据传输速率大幅提高的技术称为”双泵” (double pumping)
很重要的是在板级上针对特定芯片的面向硬件的黑客攻击尝试,比如利用电压侧信道攻击(side channel attack 简称SCA)来攻击特定的芯片。