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台积电“美国制造”芯片进度落后
2025-03-28 09:15:42 EETOP点击关注微信公众号半导体创芯网，后台告知EETOP论坛用户名，奖励200信元
3月28日消息，日经于昨晚披露了台积电在美国建厂的最新动态。台积电在历经首座美国工厂长达五年的建设周期后，已积累起在美建厂的宝贵经验，如今计划将后续晶圆厂的建设周期大幅缩短至两年。
回顾台积电美国工厂的建设历程，凤凰城Fab 21工厂的建设规划清晰明了。一期（N4工艺）早在2020年就已动工，预计2025年实现投产；二期（3nm工艺）计划在2026年开启试产，2028年达成量产；三期（2nm工艺）则有可能在2028年进行试产，2029年具备量产能力。目前，该公司正紧锣密鼓地完成凤凰城Fab 21一期工厂的设备安装工作，并且打算在Fab 21二期建设完成后，将相关设备安装工具转移至该区域。
台积电高管向日经证实，在建设初期他们遭遇了劳工短缺、成本超支等诸多棘手问题。经过不懈努力，如今已成功解决大部分难题，还明确了在建设新工厂时可合作的当地建筑承包商。倘若三期工厂能够如期完工，它将成为美国首座具备2nm制程能力的半导体生产基地，这无疑具有里程碑式的意义。
但是台积电“美国制造”芯片的整体进度却相对落后，有消息称为追赶进度，台积电将加快在美国的建厂速度，其第三座晶圆厂计划于今年动工。但建设速度的提升并非一帆风顺，设备供应成为了新的制约瓶颈。ASML与应用材料等供应商的订单堆积如山，光刻机的交付周期难以压缩，这极有可能导致美国工厂的实际技术导入比中国台湾地区滞后1 - 2个制程节点。
从芯片生产的产品线来看，美国工厂生产的芯片存在诸多限制。供应链信息显示，美国工厂所生产的芯片将被限定于特定产品线，而且不会用于苹果的最新机型。这是因为最先进的制造工艺仍将保留在中国台湾工厂。
