英特尔18A工艺就绪！据称领先台积电2纳米一年！

2025-02-24 13:14:16 EETOP

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英特尔近日宣布，其18A制程节点（1.8纳米）已经准备就绪，并计划在今年上半年开始设计定案。该制程将导入多项先进半导体技术，有望领先台积电即将推出的2nm N2制程，后者预计将于2026年上市。

市场有人声称，英特尔的18A制程将会是世上首个小于2纳米的制程，这也让台积电制程技术落后英特尔一年。

18A制程相较于intel 3制程，可将芯片密度提升30%，并提高每瓦性能约15%。英特尔计划将18A制程应用于即将推出的Panther Lake笔电处理器与Clearwater Forest服务器CPU，这两款产品预计将于年底前上市。

18A制程的一大突破是PowerVia背面供电技术。该技术通过将粗间距金属层与凸块移至芯片背面，并采用纳米级硅穿孔（through-silicon vias，TSV），以提高供电效率。英特尔表示，这项技术可提升ISO功耗效能4%，并增加标准单元利用率5%至10%。

另一项关键技术是 RibbonFET，这是英特尔的全栅极晶体管（GAA）设计。与传统鳍式场效晶体管（FinFET）相比，RibbonFET可更精细地控制电流流动，并有效降低功耗与漏电，这对于高密度、小型化的芯片来说尤为重要。

台积电也计划在其2nm N2制程采用GAA设计，但相关量产预计要到2025年底才开始，首批采用N2的消费级产品预计最早在2026年中推出。此外，台积电计划在A16制程（2026年推出）中导入背面供电技术，与英特尔18A的技术路线相似、但时程较晚。

近期有报告比较英特尔18A与台积电N2制程，结果显示英特尔的18A可能在性能方面占优势，而台积电的N2则具有更高的芯片密度。

过去几年，英特尔在制程技术上落后于台积电和三星，但18A制程有望让英特尔在特定领域超越竞争对手，并抢先进入市场。如果18A能够成功量产，不仅将提升英特尔的晶圆代工业务竞争力，还可能改变目前半导体市场的竞争格局。

但一说到英特尔，外界大多会想到近年来该公司面临重大财务压力，英特尔在2024年的财务报告中显示亏损了130亿美元，而台积电则有高达410亿美元的营业利润。由于英特尔连年亏损，市场上关于该公司可能进行业务拆分或出售部分代工业务的猜测不断增加。

此外，美国政府近年来加强对当地芯片供应链的关注度，也有观点认为台积电可能在稳定英特尔的晶圆代工业务中发挥一定作用。随着美国政府推动半导体本土化，intel 18A制程的成败，将成为美国半导体产业竞争力的重要指标。