东芝推出高速导通小型光继电器,可缩短半导体测试设备的测试时间
2025-02-20 11:04:05 未知东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新推出采用S-VSON4T[1]封装的光继电器——“TLP3414S”与“TLP3431S”,具有比东芝现有产品更快的导通时间[2]。TLP3414S与TLP3431S的断态输出端电压和通态电流额定值分别为40 V/250 mA和20 V/450 mA。该产品于今日开始支持批量出货。
新型光继电器通过提高输入侧红外LED的光输出并优化光电探测器(光电二极管阵列)的设计,可实现高效的光耦合,将导通时间最大值缩短至150 μs。TLP3414S的导通时间比东芝现有产品TLP3414缩短约50 %,TLP3431S的导通时间比东芝现有产品TLP3431缩短约62 %。
此外,当输出打开时,这两款产品的导通电阻会影响信号衰减(TLP3414S:最大值3 Ω,TLP3431S:最大值1.2 Ω);当输出关闭时,输出电容会影响高频信号泄漏(两款产品均为典型值6.5 pF)。新产品与东芝现有产品[2]相当,确保了稳定的信号传输。
新产品适用于半导体测试设备中的引脚电子[3]应用,可在开关信号的同时以高精度高速测量待测设备(DUT)。
新产品由于采用小型S-VSON4T封装,与东芝现有产品的VSON4封装[4]相比表贴面积减少了约20 %,有助于实现半导体测试设备和其他设备的小型化。
东芝将继续提供更多高性能产品,以满足半导体测试设备对更高性能和更快速度的需求。
Ø 应用:
- 半导体测试设备(高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等)
- 探测卡
- 测量设备
Ø 特性:
- 高速导通时间:tON=150 μs(最大值)
- 低导通电阻:
TLP3414S RON=3 Ω(最大值)
TLP3431S RON=1.2 Ω(最大值)
- 小型S-VSON4T封装:1.45 mm×2.0 mm(典型值),厚度=1.3 mm(典型值)
Ø 主要规格:
器件型号 | TLP3414S | TLP3431S | ||
封装 | 东芝封装名称 | S-VSON4T | ||
尺寸(mm) | 1.45Í2.0(典型值), 厚度=1.3(典型值) | |||
触点类型 | 1-Form-A (常开) | |||
绝对最大额定值 | 断态输出端电压VOFF(V) | 40 | 20 | |
通态电流ION(mA) | 250 | 450 | ||
通态电流(脉冲)IONP(mA) | 750 | 1350 | ||
工作温度Topr(°C) | –40至110 | |||
隔离电压BVS(Vrms) | AC,60 s, R.H.≤60 % | 500 | ||
耦合电气特性 | 触发LED电流IFT(mA) | 最大值 | 3 | |
导通电阻RON(Ω) | 典型值 | 2 | 0.8 | |
最大值 | 3 | 1.2 | ||
电气特性 | 输出电容COFF(pF) | 典型值 | 6.5 | |
开关特性 | 导通时间tON(μs) | 最大值 | 150[5] | |
关断时间tOFF(μs) | 100[5] | |||
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注:
[1] S-VSON4T封装:1.45 mm×2.0 mm(典型值)
[2] 东芝现有产品TLP3414(额定值40 V/250 mA)和TLP3431(额定值20 V/450 mA),采用VSON4封装
[3] 引脚电子(PE):用于向待测设备(DUT)提供电源和测试信号,并判断DUT的输出信号的一种接口电路
[4] VSON4封装:1.45 mm×2.45 mm(典型值)
[5] TLP3414S的测试条件:RL=200 Ω、VDD=20 V、IF=5 mA,TLP3431S:RL=200 Ω、VDD=10 V、IF=5 mA