2月18日消息，据TheElec报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问，此行带有重要使命。消息人士透露，此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的1b DRAM芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM），特别是HBM3E。

据悉，英伟达曾在去年对三星的1b DRAM设计提出了改进要求。而此次三星所展示的样品，正是基于英伟达的具体要求经过改进后的成果。通常情况下，三星设备解决方案（DS）部门的负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见，这足以显示三星对此次合作的高度重视。

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三星在去年曾计划使用1b DRAM生产HBM，但过程中遭遇了良品率和过热问题。这款DRAM属于第五代10纳米产品，原本被寄予厚望用于HBM3E。由于面临技术难题，三星曾考虑改用1a DRAM（1b DRAM的前代产品）来生产HBM3E 8H和12H，并计划跳过1b DRAM，直接使用1c DRAM生产HBM4。然而，英伟达坚持要求使用1b DRAM，这使得三星不得不重新调整其生产计划。

此次访问中，三星副董事长兼DS部门负责人Young Hyun Jun亲自出马，很可能是为了确保三星能够赢得英伟达的HBM3E订单。Young Hyun Jun不仅担任DS部门的负责人，还兼任该部门下的内存业务负责人，作为DRAM领域的专家，他被认为主导了1b DRAM的设计改进工作。

目前，三星的竞争对手SK海力士已经向英伟达供应采用1b DRAM生产的HBM3E 12H，而美光也预计将在近期开始生产面向英伟达的人工智能加速器所需的HBM。面对激烈的竞争环境，三星无疑希望通过此次访问和展示，进一步巩固其与英伟达的合作关系。

上个月，三星曾表示其“改进版”HBM3E的准备工作进展顺利，并计划于今年第二季度正式量产并供货。而在1月份的CES展会上，英伟达首席执行官黄仁勋也曾公开表示，三星需要重新设计其HBM，以通过英伟达的资格认证。此次三星芯片部门负责人的访问，无疑是对黄仁勋这一要求的积极回应和实际行动。