台积电美国工厂竞争对手登场了!

2025-01-14 08:39:11 EETOP

1月13日消息,据韩媒“每日经济新闻”报道,三星电子正在美国得克萨斯州泰勒市建设一座先进的半导体芯片工厂。该公司声称,其已获得了美国政府提供的47.4亿美元(当前约348.34亿元人民币)的激励资金。这座工厂计划于2026年开始大规模芯片生产,目标直指与全球半导体巨头台积电展开激烈竞争。

1.jpg

据报道,三星美国泰勒工厂将专注于生产2纳米和3纳米工艺的先进芯片。公司计划在2026年初引入所有必要的生产设备,并在年底前正式启动量产。这一举措显示了三星在全球半导体市场扩大产能、提升技术竞争力的决心。

在技术上,三星将采用全栅极(Gate-All-Around, GAA)技术来生产2纳米和3纳米工艺的芯片。这一技术与台积电在3纳米工艺中使用的极紫外光刻(EUV)技术有所不同,而台积电也计划在2纳米工艺中转向GAA技术。尽管在进度上三星略晚于台积电,但其并未放弃追赶的步伐。

为了吸引客户,三星计划通过提供“从开发到生产的一站式解决方案”来增强自身的竞争力。据称,这一方案可以将代工项目“从设计到量产的时间缩短约20%”。这一优势对于追求时间效率和成本控制的客户来说,无疑具有极大的吸引力。

值得一提的是,三星的最大竞争对手台积电已经在其位于美国亚利桑那州的工厂开始生产4纳米芯片,并计划在今年内具备生产2纳米和3纳米芯片的能力。面对台积电的强劲挑战,三星显然已经做好了充分的准备,誓要在全球半导体市场中占据一席之地。


关键词: 台积电 半导体 芯片

  • EETOP 官方微信

  • 创芯大讲堂 在线教育

  • 创芯老字号 半导体快讯

  • 0

全部评论