三星3纳米良率大幅拉高！

2024-03-23 11:06:58 EETOP

市场传出，三星电子（Samsung Electronics Co.）3 纳米良率大幅拉高，整体表现有机会追上台积电。

知名爆料人Revegnus 22日透过社交平台X指出，三星3纳米良率一开始虽只有10%~20%，但最近拉升至三倍以上。

虽然良率依旧低于使用现有「鳍式场效」（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）制程的台积电，但三星对第二代3纳米制程期望甚高，据传看好效能、功耗及面积（ Performance、Power、Area，PPA）前景（有谣言暗示可赶上台积电N3P）。

Revegnus表示，消息人士透露，三星3纳米制程的能源效率（power efficiency）、逻辑区域（logic area）都比4纳米FinFET改善20%~30%。

韩国媒体TheElec报道，三星共同CEO庆桂显（Kyung Kye-hyun）20日在年度股东大会预测，今年半导体营收有望重返2022年衰退前水准。

庆桂显指出，存储器事业1月转亏为盈，今年恢复元气，除了高带宽存储器（HBM），开放性高速互连通讯协议CXL（Compute Express Link）、存储器处理器（Processor In Memory， PIM）也与客户接洽，结果很快就能出炉。

三星晶圆代工事业总裁崔时荣（Siyoung Choi）同场合表示，虽然英特尔（Intel Corp.）谈论1.4纳米制程，但三星及台积电都有制程规划。他说，客户要的是稳定供应、产品具竞争力的晶圆代工商，三星4纳米良率已成熟。

崔时荣并表示，第二代3纳米制程下半年投产，2纳米投产时间是明年。