东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护

2023-11-10 07:56:41 EETOP

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。

截至目前，东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品，主要用于智能手机锂离子电池组的保护。30V产品的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择，如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组保护。

实现具有低漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）的双向开关需要两个具有低RDS(ON)的MOSFET，尺寸为3.3mmÍ3.3mm或2mmÍ2mm。东芝的新产品采用小巧纤薄的新型封装TCSPAG-341501（3.37mmÍ1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）），同时在单封装共漏极结构中搭载电阻值为9.9mΩ（典型值）的源极-源极导通电阻（RSS(ON)）。

USB PD（USB Power Delivery）专门针对需要高功率供电的设备而开发，可以提供从15W（5V/3A）直至最大240W（48V/5A）的功率。USB PD具有角色交换功能，支持电源侧和接收侧的互换，要求USB充电设备能够双向供电，以便能够同时支持电力传输和电力接收。此次新产品就是一款支持双向供电，表贴面积较小的N沟道共漏极MOSFET。

将该产品与东芝TCK42xG系列中的驱动IC相结合可构成具有防回流功能的负载开关电路或可以在先合后断（MBB）和先断后合（BBM）之间切换操作的电源多路复用器电路。基于这种产品组合，东芝于今日发布了适用于电源多路复用器电路的参考设计（使用共漏极MOSFET）。使用该参考设计有助于缩短产品设计与开发时间。

未来东芝将继续扩大其产品线并改进相关特性，以提高设计灵活性。

新型封装TCSPAG-341501

Ø 应用：

- 智能手机

- 笔记本电脑

- 平板电脑等

Ø 特性：

- 高源极-源极额定电压：VSSS＝30V

- 低导通电阻：RSS(ON)＝9.9mΩ（典型值）（VGS＝10V）

- 双向导通的共漏极连接结构

- 小巧纤薄的TCSPAG-341501封装：3.37mmÍ1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）

Ø 主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号				SSM10N961L
极性				N沟道Í2
内部连接				共漏极
绝对最大额定值	源极-源极电压VSSS（V）			30
	栅极-源极电压VGSS（V）			±20
	源极电流（DC）IS（A）[1]			9.0
	源极电流（DC）IS（A）[2]			14.0
电气特性	源极-源极击穿电压V(BR)SSS（V）	VGS＝0V	最小值	30
	源极-源极导通电阻RSS(ON)（mΩ）	VGS＝10V	典型值	9.9
		VGS＝4.5V	典型值	13.6
封装	名称			TCSPAG-341501
	尺寸（mm）		典型值	3.37Í1.47，厚度＝0.11
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