根据美国《旧金山纪事报》（San Francisco Chronicle）发出的讣闻，半导体产业“一代宗师”、半导体界大师级教授施敏（Simon Sze）在美国当地时间6 日辞世，享寿87 岁。施敏（Simon Sze），生于1936年，是一位享有盛誉的半导体物理学家和工程师，被广泛认为是半导体器件领域的大师级人物。他在半导体器件技术、器件物理和微电子领域的贡献被广泛认可，并且他的著作和教育活动对半导体工业和研究产生了深远影响。
施敏对科学充满热情，1957 年毕业于台大电机工程系，之后至美国留学，1960 年在华盛顿大学取得硕士学位。施敏也与张忠谋师及不久前过世的华泰电子创办人杜俊元师出同门出同门，同为美国斯坦福大学电机博士，三人博士班都是同一指导教授John Moll。毕业后，随即进入美国知名研发重镇贝尔实验室（Bell Labs）工作，直到1989 年退休。理解到半导体对电子传输的重大贡献。1967 年施敏和Dawon Kahng 制造了世界上第一个浮栅非挥发性存储器元件（Floating-gate memory effect），也就是现今应用快速成长的Nand Flash存储器，是各项消费性科技产品所使用的关键零件之一，是半导体技术的重大突破之一。施敏的开创性的工作涉及广泛领域，包括MOSFET 技术开发、半导体装置物理和半导体装置可靠性。他所撰写的《半导体元件物理学》，更是该领域的重要参考书，已发行超过300 万册，教育了一代代的工程师和科学家。他杰出职业生涯包括在贝尔实验室和交大担任重要职位，1968 年施敏回台湾地区于交大担任董浩云讲座教授一年，并创办台湾地区第一家半导体公司「环宇电子」。自贝尔实验室退休后，1990 年开始于交大电子工程系任教，2010 年获赠交大终身讲座教授，他也获得台科大荣誉讲座教授，也是中央研究院院士、美国国家工程院院士以及中国工程院外籍院士的三院院士。施敏因杰出的教学和研究而获得许多奖项，包括2021 年的未来科学奖和1991 年的IEEE EDS JJ Ebers 奖，表彰他对该领域的终身贡献，而他的非凡一生以及对电子、半导体世界的贡献将被铭记和珍惜。
