三星分享 2nm 1.4nm 以及 5nm射频计划
2023-06-29 12:50:01 EETOP三星在2023年年度三星代工论坛 (SFF) 上公布了更新的制造技术路线图。该公司有望分别于 2025年和 2027年在其 2纳米和 1.4纳米级节点上生产芯片。此外,该公司还计划在未来几年增加领先的 5 纳米级射频制造工艺并开始生产 GaN 芯片。
与SF3(第二代 3nm 级)相比(在相同晶体管数量下),三星预计其 SF2(2nm 级)制造技术可将功率效率提高 25%(在相同频率和晶体管数量下),将性能提高 12%(在相同功率和复杂性下),并将面积减少 5%该公司 。该公司将于 2025 年开始在 2nm 节点上制造移动 SoC,并于 2026 年跟进 HPC 增强型 SF2P 节点同时,SF1.4(1.4nm级)制造工艺预计将于2027年提供给三星客户。
为了使其 SF2 节点更具竞争力,三星打算确保其客户很快就能获得一系列高质量的 SF2 IP,包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等接口。
三星还计划于 2025 年开始生产氮化镓 (GaN) 功率半导体。这些芯片将面向各种应用,从消费电子产品到数据中心和汽车行业。
三星代工厂不仅专注于扩大其技术组合,还致力于增强其在美国和韩国的制造能力。该公司计划于 2023 年下半年在平泽 3 号生产线(P3)开始大批量生产芯片。至于位于德克萨斯州泰勒的工厂,预计将于今年年底完成建设,其预计将于 2024 年下半年开始运营。
作为其宏伟目标的一部分,三星计划到 2027 年将其洁净室总产能提高 7.3 倍,与 2021 年拥有的产能相比大幅增长。