三星本周概述了其涵盖下一代制造工艺以及扩大生产能力的长期路线图。路线图表明该公司没有放缓开发和部署新制造技术以及扩大制造能力以满足未来对先进芯片的需求的计划。 

据日经新闻报道， 三星代工计划到2025 年开始使用其下一代 2nm 制造工艺制造芯片，到 2027 年开始使用其 1.4nm 生产节点。今年早些时候，三星开始使用其第一代 3nm 制造技术（也称为3GAE或 gate-all-around early）制造半导体。2024 年，该公司将采用其第二代 3nm 节点（也称为 3GAP，或gate-all-around plus）。 

由于开发新的制造工艺并将其用于量产变得越来越困难，三星的 2nm（或 20 埃）节点将在大约两年内准备就绪也就不足为奇了。根据目前的路线图，当三星准备好其 2nm 技术时，其竞争对手英特尔将在 2024 年中期开始使用其 20A 节点，并在 2025 年中期开始使用 18A 节点。与此同时，台积电计划在 2025 年下半年开始使用其 2nm 节点进行大批量生产，并在 2026 年初交付第一批芯片。 

近年来，三星在新晶圆厂投入巨资，旨在为其三星代工客户生产更先进的片上系统以及复杂的 3D NAND 和 DRAM 芯片。几年来，该公司在先进的半导体生产能力上花费的资金几乎比业内任何公司都多——而且它显然没有放缓投资的计划。 

据路透社援引该公司官员的报道称，三星计划到 2027 年将其先进芯片的产能增加两倍 。三星没有透露确切的目标以及它认为的先进产能，但可以肯定的是，该公司将继续投资于新的半导体产能。 

三星不仅需要为无晶圆厂客户制造领先的芯片，还需要为自己的产品制造领先的芯片，包括消费电子汽车应用、5G 和 6G 连接以及其他产品。  

为了满足对其自有和第三方芯片的需求，三星正在德克萨斯州泰勒附近建造全新的全新晶圆厂，并计划扩大其在韩国的生产能力。据彭博社援引该公司官员的一份报告称，德克萨斯州的工厂预计将于 2024 年开始使用该公司的 3nm 级节点之一进行大批量生产 。