东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET
2022-09-13 09:33:10 EETOP东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。
新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。
Ø 应用：
- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
- 电动汽车充电站
- 光伏变频器
- 不间断电源（UPS）
Ø 特性：
- 单位面积导通电阻低（RDS(ON)A）
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）
- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
Ø 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 库存查询与购买 | |||||||
漏极-源极电压 VDSS（V） | 栅极-源极电压 VGSS（V） | 漏极电流 （DC） ID（A） | 漏极-源极导通电阻 RDS(ON) 典型值（mΩ） | 栅极阈值电压 Vth（V） | 总栅极电荷 Qg 典型值（nC） | 栅极-漏极电荷 Qgd 典型值（nC） | 输入电容 Ciss 典型值（pF） | 二极管正向电压 VDSF典型值 （V） | |||
@Tc＝25℃ | @VGS＝18V | @VDS＝10V | @VDS＝400V、 F＝100kHz | @VGS＝-5V | |||||||
TW015N120C | TO-247 | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | -1.35 | 在线购买 |
TW030N120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | 在线购买 | |||||
TW045N120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | 在线购买 | |||||
TW060N120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | 在线购买 | |||||
TW140N120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | 在线购买 | |||||
TW015N65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 在线购买 | ||||
TW027N65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | 在线购买 | |||||
TW048N65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | 在线购买 | |||||
TW083N65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | 在线购买 | |||||
TW107N65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | 在线购买 | |||||
注：
[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构，东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻（RDS(ON)A），同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。
[2] MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[4] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。
