碳基芯片将成未来主流，半导体材料及电子器件测试是研究基础
2022-09-07 11:55:23 泰克要是因为碳纳米管的极限尺寸和当前的硅基材料大致相同，制作工艺改变不大。此外，碳基芯片比硅基芯片具有更优的性能和更低的功耗以及更高的工作频率(电子迁移率 100000 cm２／V.S vs 1000cm２／V.S，频率100GHz Vs 10GHz）。
我国在碳基芯片研究领域处于世界领先地位，北京大学彭练矛院士课题组一直站在碳基芯片领域的前沿。尽管碳基芯片目前与传统硅基芯片相比还有明显差距（1.4万晶体管 vs 亿级集成度），但彭院士认为15年后碳芯片技术有望成为主流芯片技术，我国将在芯片领域将实现弯道超车。
碳基半导体纳米材料测试的目的在于筛选材料及材料的分子结构改良，特别是对碳基芯片，由于在制备碳纳米管时，卷曲直径和角度的细微差别，都会影响到碳纳米管的导电性，即有可能得到金属特性的成品，而得到整齐划一的具有半导体特性的碳纳米管，是碳基芯片研究的首要条件。
对一维材料，以I-V 特性测试为主。由于纳米材料尺寸极小，因此其所能承受的测试电流超小（达 fA 级），测试电压超低（达 nV 级），并且极易因为测试造成的自热而烧毁被测材料，因此必须选择与被测纳米材料性能相适应的，具有脉冲特性的测试仪器。
对二维材料及石墨烯，电阻率、载流子浓度、载流子迁移率测试是重要的测试项目，需要用四探针及范德堡法进行测试。
对碳基电子器件及碳基芯片，主要测试 I-V 特性，通过改变碳纳米管的数量、位置和器件结构，进行测试对比，选择最优的方案。
碳基半导体材料及电子器件种类多，电性能各不相同，需选择最佳匹配的 SMU 进行测试。4200半导体参数测试仪可以覆盖全部应用，具体测试方案详如下。
