日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R00CQH”( https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html )。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。

TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%，后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的150V产品。新款MOSFET结构的优化改善了漏极-源极导通电阻之间的权衡（*2）和两个电荷特性（*3），实现了优异的低损耗特点。此外，开关操作时漏极和源极之间的峰值电压也有所降低，有助于降低开关电源的电磁干扰(EMI)。有两种类型的表面贴装封装可供选择，分别为：SOP Advance和SOP Advance (N)，后一种更受欢迎。

东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE型号外，现在还推出了高精度的G2 SPICE型号，可以准确地再现瞬态特性。

东芝将扩大其功率MOSFET产品阵容，通过减少损耗来提高设备的供电效率，帮助降低功耗。

注：
(*1) 截至2022年3月的东芝调查。
(*2) 与目前的产品TPH1500CNH（U-MOSVIII-H系列）相比，该产品的漏源极导通电阻x栅极开关电荷提高了大约20%，漏源极导通电阻x输出电荷提高了大约28%。
(*3) 栅极开关电荷和输出电荷

应用领域

• 通信设备的电源

• 开关电源（高效直流-直流转换器等）

  特点

• 优异的低损耗特性。
  （在导通电阻和栅极开关电荷与输出电荷之间进行权衡）
• 低导通电阻：RDS(ON)=9.0milliohms（最大）@VGS=10V
• 通道温度额定值高：Tch（最大）=175C

主要规格：
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202203249042-O1-spr94552.pdf 

点击以下链接，了解更多关于新产品TPH9R00CQH的信息：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html 

点击以下链接，了解更多关于东芝MOSFET的信息：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets.html 

点击以下链接，了解更多关于高精度SPICE型号（G2型号）的信息：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html 

欲了解在线分销商的新产品TPH9R00CQH的供应情况，请在以下链接在线购买：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH9R00CQH.html 

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东芝电子元件及存储装置株式会社简介

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供出色的分离式半导体、系统LSI和硬盘产品。

该公司在全球共有22000名员工，他们有着共同的目标，那就是实现产品价值最大化，以及促进与客户的密切合作，共同创造价值和新市场。目前，东芝的年销售额已超过7100亿日元（合65亿美元），其愿景是贡献一份力量，帮助世界各地的人们创造更美好的未来。