韩国媒体《BusinessKorea》 的报道指出，目前是全球第五大NAND Flash 供应厂商的美光，日前逐步展示其先进技术的研发实力，除了在2020 年11 月正式向客户提供176 层堆叠的NANDFlash 产品之外，还在2021 年的1 月份开始大量生产第4 代10 纳米级的DRAM，而这些产品目前都还是韩国厂商包括三星或SK 海力士所无法量产的产品。

报道指出，尽管三星及SK 海力士在目前全球的DRAM 市场有着总计71% 的市占率，而NAND Flash 市场也有着合计45% 的市占率。不过，两家公司连续失去的对相关产品全球新技术的首发纪录，这反映了两家公司在技术发展上正面临着竞争对手的严峻挑战。因为，就在1 到2 年前，三星在存储器技术上至少还领先美光约2年的时间。

事实上，当三星在2018 年7 月量产96 层堆叠V-NANDFlash，而且SK 海力士在2019 年6 月份首次量产128 层堆叠的4DNAND Flash 之时，美光则是到2020 年的第2 季才开始量产旗下的128 层堆叠NAND Flash。甚至，三星还保持了从第1 代到第3 代的10 纳米级DRAM 的全球首发纪录。不过，在当前美光陆续取得两项产品领先之后，相关的韩国市场人士开始担忧，其韩国在存储器产业的市场领先优势还能够维持多久。

报道强调，技术领先缩小的原因，在于存储器制程技术几乎已经达到了极限，使得领先者要进步会比后来追赶者要困难许多。三星方面至今已经投资了数万亿韩圜的经费，并且花费长时间在新技术的开发工作上。但是，追赶者却可以参考三星的技术发展，进一步减少了在研发上的成本投资与时间。对此，韩国市场人士指出，虽然现阶段韩国企业在成本级设备投资上有着竞争力。但是，这方面的竞争力正被竞争对手逐渐追赶。其中，2019 年美光的营业利润率为19.5%，虽低于三星的21.6%，但却领先SK 海力士的10.1%。即使三星与SK 海力士努力的提高，使得三星2020 年的营业利润率提升至25.8%，但SK 海力士的15.7%营业利润率仍与美光的15.2% 表现相差无几。

报道进一步强调，除了借营业利润率来衡量各企业的竞争力之外，更令韩国业界担心的是，目前欧美在全力发展半导体制造业的情况下，对重点发展厂商的补助计划。尤其，美光所生产的存储器一值被美国视为重要的战略科技产品，因此美国政府将会对美光进行更加优惠的补助措施。而根据韩国工业联合会在2020 年6 月所发布的报告显示，美国政府对美光的补助占其总销金额的3.3%。但反观韩国的三星和SK 海力士方面，从韩国政府获得的不住则分别仅为0.8% 和0.5%。这使得竞争对手更加有实力在技术研发的投资，也使得韩国企业面临着更大的竞争压力。