imec/ASML公开EUV光刻机单次曝光极限
2021-03-16 13:59:43 EETOP具体来说，通过工艺优化，使用Inpria的金属氧化物抗蚀剂(MOx)在一次曝光中实现了高密度的28纳米间距线/空间图案化，并考虑到了大规模生产。
使用NXE获得的28nm间距接触孔；NA = 0.33的3400全场扫描仪。显影后的SEM图像
该团队能够将光学和电子束检测与电学数据相关联，从而进一步洞察改善概率缺陷，包括缺陷和电桥。此外，通过对光源的优化，使NXE:3400能够刻出尽可能小的间距(间距为24 nm的线/空间和间距为28 nm的接触孔)，使下一代高NA EUV光刻系统所需的材料得以尽早开发。
据imec介绍，EUV光刻技术已经到了一个关键时刻，要么转向多图案化（多次曝光），为下一代IC刻录更密集的图案，要么用目前的NA=0.33全场扫描器进一步改进单图案化。。
imec高级图案计划负责人Kurt Ronse说：“与多重曝光相比，单词曝光具有明显的成本优势，并且工艺简单得多。” Imec和ASML适用于线条/空间。它证明了28nm间距的单一曝光图案准备就绪。这对应于5nm技术节点的关键BEOL金属布线层，接近NXE：3400光刻机的极限。
imec高级图案化工艺和材料开发副总裁Steven Scheer补充说："除了提高单次曝光EUVL对大批量生产的限制外，imec和ASML还将提高NXE:3400的NA=0.33的分辨率，并将其应用于高NA EUVL工具的早期材料开发平台。作为imec图案生态系统的一部分，抗蚀剂、计量学和蚀刻工艺开发之间的联系将为加速下一代EUVL的引入提供机会，即具有高NA的EXE:5000。除了解释这项研究的意义外，该公司还希望未来能提供一种高NA电阻成像功能，用于8nm间距以下的图案化。
