美国司法部于2018年11月，以联电及若干员工违反联邦营业秘密保护法为由，对联电司及若干员工提起刑事诉讼。

依和解协议，联电承认侵害一项营业秘密，同意支付美国政府罚金6,000万美元，并在三年自主管理的缓刑期间内与司法部合作，该金额对联电财务业务无重大影响。

联电表示是，2018年11月美国司法部起诉联华电子违反联邦营业秘密保护法案件，联电已与司法部达成和解，和解协议内容今日经北加州联邦地方法院判决确定。

在和解协议中，司法部同意撤销对联电原来的指控，包括共谋实施经济间谍活动、共谋窃取多项Micron (以下简称美光) 商业秘密、和专利有关的指控、以及可能从4亿到87.5亿美元的损害赔偿及罚金等。联电承认侵害一项商业秘密，同意支付美国政府6千万美元的罚金，并在三年自主管理的缓刑期间内与司法部合作。

2016年5月，联电经由经济部投审会核准，与福建省晋华集成电路有限公司(以下简称晋华)签署了合作协议。依据该协议，联电与晋华共同开发两代动态随机c存储器 (DRAM)制程。协议中所开发的DRAM制程并非最新技术，而是与2012年已用于量产技术相似的旧技术。

联电为了DRAM合作案公开招募工程师，不允许任何员工携带前公司数据资料到联电，且针对自身与他人营业秘密已有多项保护与防免的政策与措施，然而两位参与DRAM合作案的台湾美光前员工，却违反与联电签订的雇佣合约与声明书，携带前公司资讯进入联电并于工作中参考。

当联电知悉上述情事时，立即采取必要措施以确认开发的制程技术不包含任何未经授权的资讯。合作协议中所提及的第一代DRAM制程技术在2018年9月依协议移转给晋华。联电从无意图、也未移转任何未经授权的资讯给晋华。

然而，依据美国商业秘密保护法，即使员工在公司高层不知情的情况下违反公司政策，公司对于员工行为仍须负法律责任。因此，联电在和解协议中承认并接受因员工触法所造成的责任。

联华电子董事长洪嘉聪表示：联电作为引领中国台湾半导体业发展的公司之一，持续研发半导体及其他技术已四十年，在全球半导体供应链中扮演着举足轻重的角色。联电超过三分之一的营收来自美国，与美国客户及供应商都有长久的业务关系。最近，联电集团更与美国公司合作，生产对抗新冠肺炎所需之呼吸机中的半导体芯片。

数年前，联电获得政府事前核准，以自身专业知识及经验、以及丰富的研发资源，参与DRAM合作开发案。