台积电去年就成立2纳米专案研发团队，在考虑成本、设备兼容、技术成熟及效能表现等多项条件下来寻找可行路径，如今台积电虽然仍没有公布细节，但已表示将会是全新架构。而据供应链消息透露，台积电2纳米即将改采全新的GAA 基础，使用多桥通道场效应晶体管（MBCFET）架构。

这是由于3纳米已达FinFET 技术的瓶颈，会出现制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，就算有EUV 技术加持，但2纳米势必要转换跑道。虽然三星提早在3纳米就打算采用GAA ，意图在此技术上弯道超车台积电，但台积电研发多年的纳米片（Nano Sheet）堆叠关键技术，及EUV 运用经验，将能使良率提升更顺利。

所以不少业内人士预期，若2纳米在2023年即能投产，三星就算在弯道恐怕也超不了车。就目前台积电所公布的制程推进现况来看，采用EUV 的5纳米良率已快速追上7纳米，显见台积电在良率提升上的底蕴，甚至有业界预期风险试产良率即可到9成。三星虽提前量产3纳米GAA，但在性能上未必能压过台积电，而GAA 良率上的落差可能也不会如预期般明显，且据传2纳米背后还有苹果的研发能量支持。

不过未来半导体制程将会更加竞争，不仅是三星，英特尔的SuperFin 技术也不可小觑，虽然纳米节点时程落后，但实际性能并不真的多差。早有舆论认为，台积电及三星的制程竞逐，很多只是数字游戏，而英特尔其实相对踏实，就实际晶体管密度等指标来看，新的英特尔10纳米强化版已接近台积电5纳米，是非常大的单一节点升级。

只要英特尔也敢忍痛杀价，SuperFin 仍然很有高阶制程市场的竞争力，就如同三星8纳米已打出一片市场一般，台积电虽然还占有优势，但仍不能轻敌。目前台积电已表示，未来2纳米研发生产将落脚新竹宝山，将规划建设4 个超大型晶圆厂，将成为下一轮半导体大战主力。 
 

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