5G智能手机同步支持Sub-6GHz及mmWave（毫米波）等多频段，基带芯片或系统单芯片（SoC）的设计及功能更为复杂，晶圆代工龙头台积电除了提供7纳米及5纳米等先进制程晶圆代工，也进一步完成5G手机芯片先进封装供应链布局。其中，台积电针对基带芯片推出可整合存储器的多芯片堆叠（MUlti-STacking，MUST）封装技术，整合型扇出天线封装（InFO_AiP）下半年将获华为海思采用。

 

由于5G同步支持多频段、高速数据传输速率、大容量数据上下载等特性，加上5G终端装置亦加入了边缘运算功能，所以5G智能手机搭载的应用处理器、数据机或SoC等5G手机芯片，都需要导入7纳米或5纳米等先进制程，才能在提升运算效能的同时也能有效降低芯片功耗。因此，包括苹果、高通、联发科、华为海思等都已采用台积电7纳米或5纳米量产。

但在5G芯片运算效能大跃进的同时，核心逻辑芯片需要更大容量及更高频宽的存储器支持，射频前端模组（RF FEM）也需要搭载更多功率放大器（PA）或低噪放大器（LNA ）元件，可以解决芯片整合问题的先进封装技术因此成为市场卖点。

包括苹果、华为、三星等一线大厂今年所打造的5G智能手机，均大量导入系统级封装（SiP）设计来降低功耗及达到轻薄短小目标，台积电因此推出5G智能手机内建芯片的先进封装技术，以期在争取晶圆代工订单之际，也能透过搭载先进封装制程而提高客户订单的黏着度。

针对5G手机中的应用处理器，台积电已推出InFO_PoP制程并将处理器及Mobile DRAM封装成单一芯片。而5G基带芯片因为资料传输量大增，台积电开发出采用InFO制程的多芯片堆叠MUST封装技术，同样能将基带芯片及存储器整合封装成单一芯片，而台积电也由此开发出3D MiM（MUST in MUST）的多芯片堆叠封装技术，除了能应用在超高数据量传输的基带芯片，亦能应用在高效能运算（HPC）相关芯片封装，将单颗SoC与16颗存储器整合堆叠在同一芯片。

再者，台积电InFO制程可提供射频元件或射频收发器的晶圆级封装，但在mmWave所采用的RF FEM模组封装技术上，台积电推出基于InFO制程的InFO_AiP天线封装技术，相较于覆晶AiP封装可明显缩小芯片尺寸及减少厚度。苹果iPhone 12搭载天线虽然没有采用台积电InFO_AiP制程，但华为海思有机会在下半年出首款采用台积电InFO_AiP技术的天线模组并搭载在新一代5G旗舰手机中。