ADC速率高达200Gbps，功耗仅700mW！比利时Imec开发出出基于锗化硅（SiGe) 的BiCMOS 时间交织芯片
2020-02-25 12:27:27
EETOP编译
特大学合作模拟时间交织器以700 mW的功耗实现高达100 G200/时间交织是一种使用多个相同的AD转换器（ADC）来实现高于一个ADC所能支持的采样率的技术。 为了应对数据爆炸，近年来，数据中心增加了通过光纤电缆的分层网络互连服务器机架的光链路数量。Imec解释说，这些链路需要低成本，低功耗，但需要将信号速度提高到至少100Gbaud。
到目前为止，这些高速光收发器必须使用InP衬底，但是由于制造成本高，InP工艺不适合大规模生产，因此需要使用更便宜的基于Si的CMOS工艺来实现。
BiCMOS芯片结合了四个DAC的输出和四个25Gbaud流的时间交织以达到100Gbaud的信号速率。
这等效于以100GSps工作的单个DAC，尽管使用PAM-4调制格式实现200 Gbps的数据速率，原型的总功耗仍可降低至700mW。该研究小组指出，与Si一样，SiGe BiCMOS技术也可以扩展到大规模生产，从而为为下一代数据中心提供经济高效的高速光收发器铺平了道路。
关键词：
BiCMOS
锗化硅
SiGe
Imec
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