三星将向西安芯片厂投资80亿美元：欲用创新压制国产内存
2019-12-19 09:09:06 快科技早在2017年的时候，该公司宣布，计划在未来三年内向其位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段投资。
三星二期项目的总投资为150亿美元，预计于2021年下半年竣工。此前，该公司还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目的一期投资。
目前，三星在三个地方生产3D NAND：韩国的华城、平泽和中国的西安。自2014年以来，该公司就一直在其位于西安的工厂生产NAND芯片。最近，该公司在其位于平泽的工厂增加了第二条生产线，预计将于明年投产。
有分析人士表示，三星为了打击国产自主内存，正在加大投资，以保证足够的创新。今年9月，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
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