美光开始量产1z纳米 DRAM
2019-08-29 13:27:24 来源：中时电子报
与上一代1y纳米节点相比，美光的1z纳米16Gb DDR4产品显著提高位元密度、大幅增进效能并降低成本。同时，它也促进美光持续改善其运算DRAM（DDR4）、行动DRAM（LPDDR4）和图形DRAM（GDDR6）产品系列的相对效能和功耗。对于包括人工智慧、自动驾驶车辆、5G、行动装置、图形、游戏、网路基础设施和服务器等应用而言，功率和效能之间的优化平衡是关键的差异化因素。
美光透过量产16Gb DDR4存储器解决方案，开始将技术移转至1z纳米。使用更小的节点进行生产带来多项优势，包括功耗较上一代8Gb DDR4产品降低约40％。美光全面的1z纳米DDR4产品组合也满足资料中心对更高效能、更高容量和更低功耗，日益增长的需求。
此外，美光也宣布公司已开始批量出货基于UFS规范多芯片封装（uMCP4）的业界最高容量单片16Gb低功率双倍资料速率4X （LPDDR4X）DRAM。美光的1z纳米LPDDR4X和uMCP4满足了移动设备制造商寻求更低功率和更小封装，以设计具有吸引人的规格尺寸和长电池寿命的装置需求。
科普：什么是1xnm，1ynm和1znm
在20nm之上，供应商们希望通过两代或三代1xnm节点去升级DRAM，也被称为1xnm，1ynm和1znm。1xnm处于16nm和19nm之间，1ynm规定在14nm到16nm，1znm规定在12nm到14nm。
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