三星周二推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个层堆叠。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，该公司不得不使用新的电路设计技术。与三星的上一代V-NAND相比，新内存的延迟降低了10％，功耗降低了15％。
新的V-NAND突破了目前3D NAND堆叠的限制，实现了卓越的速度和能效，还计划从2020年开始在韩国平泽工厂扩大第六代V-NAND生产，以更好地满足全球客户的需求。
三星第六代V-NAND是继其推出90层以上V-NAND后仅13个月所推出的新一代V-NAND，同时三星还将批量生产周期缩短了4个月，以确保其在业界领先的性能、能效和生产效率。
三星基于其第六代V-NAND技术将提供高速、大容量的SSD和eUFS解决方案，目前已开始批量生产250GB SATA SSD，采用的是第六代（1xx层）256Gb TLC V-NAND。三星还计划在2019下半年推出基于512Gb TLC V-NAND的SSD和eUFS，用于满足全球移动和PC制造商的需求。
三星是利用独特的“通道孔蚀刻”技术，新的V-NAND在之前的9x层堆叠结构上增加了大约40%。这是通过建立一个由136层组成的导电模具堆，然后从上到下垂直穿透圆柱形孔，创建统一的三维电荷阱闪光（CTF）单元来实现的。
随着每个单元区域的模具堆叠高度的增加，NAND Flash芯片往往更容易出错和读取延迟。为了克服这些限制，三星公司采用了一种优化的电路设计，使其能够实现最快的数据传输速度，写入操作的速度低于450微秒（μs），读取速度低于45微秒。与上一代相比，这意味着性能提高了10%以上，而功耗降低了15%以上。
由于这种优化设计，三星将能够研发出超过300层的下一代V-NAND解决方案，只需采用三个当前的堆栈，同时不会影响芯片性能或可靠性。三星的100+层与美光128层（64层+64层）3D NAND结构不同。
另外，三星256Gb容量的NAND Flash所需的通道孔数量已从上一代的9.3亿个孔减少到6.7亿个孔，从而减小芯片尺寸和减少工艺步骤，这使得生产效率提高了20%以上。
三星还计划将其新的3D V-NAND应用到新一代移动设备和企业服务器等领域，还将扩展到对高可靠性要求较高的汽车市场。
三星电子（Samsung Electronics）产品解决方案与开发执行副总裁Kye Hyun Kyung表示：“通过将尖端的3D NAND技术引入批量生产，能够及时推新的闪存产品系列，并显著提高产品的速度和降低功耗。随着下一代V-NAND产品开发周期的缩短，将帮助快速扩展基于512GB V-NAND的高速大容量解决方案的市场。”
三星V-NAND批量生产时间表
