东芝存储器发布XL-Flash技术：下年量产
2019-08-06 13:01:14 中关村在线
据东芝存储器表示，这项技术与英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND一样，XL-Flash属于持久性存储器，不仅具有NAND Flash容量存储的能力，同时性能介于DRAM和NAND之间。
虽然能像DRAM易失性存储解决方案提供应用程序要求苛刻的访问速度，但达到这种性能的的成本很高。DRAM单位成本限制了其容量的扩展性，新的SCM持久性存储器解决了密度、成本、性能等问题。
它是介于DRAM和NAND闪存之间的产品，与传统的DRAM相比，具有更快的速度、更低的延迟和更高的存储容量。XL-Flash最初将以SSD产品为部署，但未来也将扩展到DRAM产品线上。
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