ASML计划今年出货30台EUV光刻机,将推出光刻速度更快的3400C
2019-01-31 08:57:21 EETOPASML上周表示计划在2019年出货30台EUV光刻机,将比2018年有大幅增加。由于对EUV光刻机的需求不断增加以及半导体制造商正在建造更多的新晶圆厂,该计划并不令人意外。
资料显示,截至去年7月,全球各公司、研究机构(包括imec)等总共安装了31台EUV光刻机。不过,遗憾的是,迄今,大规模使用EUV(极紫外光刻)技术的先进工艺仍未量产,三星7nm LPP理论上进度最快,但当下仅限于在S3工厂小规模投产,年底位于韩国华城、投资6万亿韩元(约合362亿元)的工厂竣工后,将是三星7nm EUV主力厂,预计将于今年晚些时候完工,并于2020年开始大批量生产。
另外,台积电的第二代7nm也将在非关键步骤上采用EUV技术,Intel、SK海力士也都对EUV光刻机有强烈需求。
台积电将于今年下半年开始使用其用于商业晶圆的Twinscan NXE光刻机,以使用其N7 +制造技术生产芯片。最初的EUV光刻机将用于非关键层,但它们的使用将在2020年--2021年扩展到 5纳米节点。台积电表示,几乎所有使用其N7制造工艺的客户也将使用其N5技术进行下一步 - GEN芯片。
英特尔和SK海力士的需求将进一步推动对ASML Twinscan NXE工具的需求。英特尔将扩展其在俄勒冈州,以色列和爱尔兰的工厂,因此需要EUV工具。此外,该芯片制造商将需要EUV光刻机来装备亚利桑那州的Fab 42。这些工厂将用于生产采用英特尔7纳米制造工艺的芯片 。SK海力士将为其位于韩国利川附近的新工厂提供EUV工光刻机。
根据ASML,一个EUV层需要一个EUV步进光刻系统,每月约45,000个晶圆启动。随着半导体领先制造商不断扩大EUV工具的使用范围,他们将需要额外的光刻机,这自然会增加对ASML Twinscan NXE产品的需求。
与此同时,ASML将在2019年推出产能更高的新型号Twinscan NXE: 3400C光刻机,取代现款售价1.2亿美元(约合8亿)的Twinscan NXE: 3400B。3400C的每小时晶圆雕刻能力从155片提升至170片,换装Cymer公司的340W光源,可实现更高的性能。ASML的Twinscan NXE:3400C将使芯片制造商能够控制下一代芯片的周期时间。
“我们在第四季度发布了6个系统,这意味着2018年共有18个EUV出货量,”ASML首席执行官Peter Wennink在上周的电话会议上表示。“随着本季度订购的五个订单,2019年的30个系统的出货计划被覆盖。在DUV,我们在2018年交付了189个新系统,比2017年增加了17%,我们能够进一步增加产量以支持逻辑和内存客户的需求。我们继续推进我们最新的浸入式系统NXT:2000,创造了成熟的客户产量。“