更有意思的是，接下来的 10 纳米工艺英特尔似乎更加犯难，因为英特预期至少要等到 2017 年年底，跳票的话甚至有可能到 2018 年初，14 纳米需要服役将近三年时间。

前不久，英格尔首席财务官出席摩根士丹利科技、媒体暨电信会议(Morgan Stanley Technology, Media &Telecom Conference)时 Stacy Smith 表示，希望在 10 纳米时隔一年之后搞定 7 纳米工艺制程，重新回到每两年推进一次工艺进步的轨道上。

“我们希望是两年搞定，但却没有。”Stacy Smith 称，“我们将会看到 7 纳米作为一场技术的变革，并可能让我们重新找回为其两年时间的节奏。”

英特尔长期以来始终维持所谓的摩尔定律，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 简单的说，最迟每两年时间，制造工艺的进步可以让晶体管的密度翻一番，并且晶体管的成本进一步下降。

目前英特尔的目的就是要重新遵循摩尔定律，毕竟该定律早已成为数十年来英特尔赖以生存的信条。在向 14 纳米工艺制程过渡的过程中，特别是其桌面平台，去年才完成了更换换代，导致第五代和第六代架构的桌面酷睿产品同一年登场，一切原定的产品发布计划变得四分五裂。

在 Broadwell 和 Skylake 架构之后，英特尔计划今年发布全新代号为 Kaby Lake 架构的芯片，而基于 10 纳米制造工艺的首批 Cannonlake 芯片，则定于 2017 年晚些时候登场。

最初线路图：

据称，为了顺利回归摩尔定律时间表，英特尔正押注 EUV（极紫外光刻）的新技术，该技术有助于消除芯片制造过程的复杂问题。但 EUV 现在还不能使用，因为还没有配套工具，不出意外的话，Stacy Smith 口中所受的革命性 7 纳米新品将有望首次运用到 EUV 微影技术，降低对多重图形(multi-patterning)的需求。

Stacy Smith 坦诚，芯片变得越来越小，制造过程中出现问题的几率随之增加，多重图形运用在当前 14 纳米技术制造的过程中，已经难以进一步缩减芯片的尺寸。当然了，EUV 技术完成准备的时间也可能早于预期，或许在 10 纳米时代就能够运用，只不过 Stacy Smith 没有对此确认，他表示英特尔尚未有此规划。

众所周知，英特尔在半导体行业已经失去了工艺制程领先的优势，尽管在晶体管鳍片间距设计和实际性能上仍然领先，但无论是三星、台积电还是 GlobalFoundries 的 10 纳米工艺问世时间都比英特尔更早。

对于英特尔来说，重回摩尔定律的代价不低。据了解，英特尔指定一个为期 10 年投入 2700 亿美元的规划，用于生产和研发，包括晶圆、人力和工具（如 EUV 技术）和环保材料等，这个数字几乎是最初英特尔 2011 年定的 1040 亿的近三倍。