全球手机晶片龙头高通(Qualcomm)布局功率放大器(PA)等
射频(
RF)元件策略转向,拟由现行委由
台积电代工的互补式金属氧化物
半导体(CMOS)制程,转为砷化镓制程,宏捷科、稳懋等代工厂有机会受惠,对
台积电影响则待观察。
高通2014年推出自家的
射频元件方案“
RF360”,是采用
半导体CMOS制程的PA,具低成本优点,且由
台积电以八寸厂制造,再搭配自家手机晶片出货,与其他PA制造商Skyworks、Avago、
RFMD等PA供应商采用砷化镓(GaAs)制程不同。
不
过,高通日前甫宣布与日系零组件大厂TDK合资,拟在新加坡设立新公司“
RF360 Holdings
Singapore”,其中TDK旗下从事
射频模组业务的子公司EPCOS,会将部分业务分拆出来成立“
RF360”,代表高通对
RF元件布局将有改变,
成为日前法说会焦点之一。
高通执行长莫伦科夫(Steve Mollenkopf)回应时表示,与TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”(即砷化镓PA)将于2017年生产,这是一个比较合适的时间点,届时会再寻找合适的应用市场。
法人认为,以莫伦科夫说法来看,代表高通旗下
RF元件采用的PA制程,将由现行CMOS转向砷化镓,在这个架构下,未来势必还要调整代工厂,由目前的
台积电转至稳懋、宏捷科这类的砷化镓代工厂。
由于高通计划在2017年推出新的砷化镓PA,市场预期,今年会开始寻找合适代工厂,最快年底就会有样品,明年就能上市。
在智慧型手机转进第四代行动通讯(4G)时代,使用PA颗数至少七至八颗,比3G手机多出一到两颗,加上这两年4G手机数量呈跳跃式成长,带动一波
RF元件动能。
相较高通推出自家PA等
RF元件,竞争对手联发科则是采合作方式,在手机公板上认证Skyworks、Avago、
RFMD及陆厂Vanchip的元件,避免周边零组件供应出现长短脚现象。