台积电与英特尔、三星的先进制程竞赛依旧打得火热，10 纳米以下制程成为半导体三雄间的竞逐场，三星虽于 11 月中抢先发表 10 纳米 FinFET 制程生产的 SRAM（静态随机存取记忆体），看似抢先台积电与三星，不过，台积电 3 日透露，早已成功以 7 纳米制程产出 SRAM，而且预告 5 纳米也要来了！


台积电于 3 日举办第十五届供应链管理论坛，台积电总经理暨共同执行长刘德音表示，库存调整已近尾声，2016 有望恢复成长，台积明年将比今年更好，与先前自家董事长张忠谋的说法一致，刘德音对台积电先进制程进度也透露更多的讯息。

在 16 纳米制程，台积电先前推出比 FinFET Plus 更低功耗的 FFC 制程，主打低阶智慧手机与物联网等领域，刘德音昨 3 日指出，目前已设计定案（tape-out）的有 27 个，估计 2016 年达到 100 个，16 纳米从原本高阶市场主力，进一步拓展到中低阶市场，刘德音预估 16 纳米市佔的扩展，将成为明年营收优于去年的重要动能。

对于三星于 11 月中宣布已运用 10 纳米 FinFET 生产出 SRAM（静态随机存取记忆体），刘德音透露，台积电已经成功以 7 纳米制程产出 SRAM，10 纳米将在 2016 年初试产、7 纳米则有望于 2017 年第一季试产，与今年 9 月台积电技术长孙元成，参与美国圣塔克拉拉举行的创新平台论坛所言进度相同。

据孙元成当时说法，10 纳米在 2016 年底或 2017 年初将进入量产阶段，若依此转进进度，10 纳米阶段台积将有望超车英特尔，英特尔执行长 Brian Krzanich 在今年第二季法说会上坦承，下世代（10 纳米）制程，大约到 2017 年下半才会推出。三星则在今年 6 月正式将 10 纳米 FinFET 制程纳入开发路图（Roadmap），估计 10 纳米在 2016 年底、2017 年初全面投产，与台积电时间差不多。

值得关注的是，刘德音在昨 3 日的论坛向供应链伙伴预告，该开始准备 5 纳米了！虽未对相关时程多做说明，但也令外界相当期待，然而在 10 纳米以下制程微缩已经来到光学微影解析的极限，台积电年初透露在 10 纳米制程有部分光罩将採用极紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV ）微影技术进行曝光，大摩 3 月份发表的报告也指出， EUV 将是台积电能否在 10 纳米以下制程超车的关键。