据韩国Edaily报导，三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。

    三星存储器事业部专务白志镐(音译)在发表第2季财报时表示，最晚10月将推出第三代V-NAND。V-NAND的优势为高信赖性、大容量、高性能，以此为基础，可提升高阶产品需求，成本竞争力也较其他产品高。

    DRAM市场上存在PCDRAM价格下滑的疑虑，全球DRAM制造厂已降低PCDRAM的出货量，并提高移动DRAM和服务器DAM比重。 苹果(Apple)iPhone6S和三星GalaxyNote5等高阶智能型手机搭载的LPDDR4和固态硬碟(SSD)用TLC3DNAND产品已迈 入大众化阶段，将出现爆炸性需求。

    韩国业者透露，目前存储器芯片市场的不安感尚未解除，但三星将透过扩大20纳米DRAM和V-NAND及10纳米级NAND的比重，大幅改善获利性，三星可望持续独大存储器芯片市场。韩国证券业界推估，三星第3季半导体部门营业利益可较第2季的3.4兆韩元增加10%以上。

    三星的先导投资，也让业绩展望更乐观。第2季三星对半导体事业投资3.2兆韩元，2015年对半导体领域的投资规模，将超过14兆韩元。三星2014年率先量产20纳米DDR4DRAM和3DNAND，巩固全球一哥地位。

    三星第2季整体营业利益6.9兆韩元中，半导体事业的营业利益占5成以上。半导体事业营益率也较第1季的28.6%增加1.5个百分点，为30.1%。

    第2季为半导体传统淡季，然三星DRAM20纳米制程比重提高到30%，NAND价格也维持稳定，系统LSI的营收季增逾50%，转亏为盈，带动半导体事业的获利性攀升。