10纳米碳纳米管CMOS器件面世

2015-05-14 08:02:51 中化新网

　中化新网讯近日，在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下，北京大学彭练矛教授团队在世界上首次研制出10纳米碳纳米管互补金属氧化物半导体（CMOS）器件。与同尺寸硅基器件相比，该器件速度是其5倍，而功耗仅为1/5。该团队还在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。
　　下一步，该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺，建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台，并基于该平台开发碳纳米管CPU，最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。