东芝公司今天宣布,该公司已经开始提供非易失性存储器芯片(BICS)的样品,其中含有48层,每个cell当中包含2 bits,每个芯片容量16GB。
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闻稿当中没有详细说明BICS闪存制造工艺,但值得注意的是,东芝堆叠层数多于同行其他厂商。三星和IMFT,
英特尔与美光合资闪存企业,都使用32层的
设计。三星目前实现在每个
芯片当中提供10.8GB的MLC配置,而IMFT跃跃欲试,将于今年晚些时候出现推出32GB存储容量的3D闪存
芯片。
BICS闪存主要面向固态硬盘,东芝表示其中的3D结构可以提高写入可靠性/擦除次数,并提升读写速度。东芝预计年内不会开始批量出货这种3D闪存
芯片,大规模出货要到2016上半年,该公司正在与SanDisk合作,建设一个新工厂专门生产3D闪存
芯片。