国内代工业巨头中芯国际近来与28纳米工艺相关的动作频频，不仅于今年1月27日宣布向客户提供28纳米多晶硅(PolySiON)和28纳米高介电常数金属闸极(HKMG)在内的多项代工服务，正式进入28纳米工艺时代;又于2月9日快速与ARM签订针对ARM Artisan物理IP的合作协议，该IP可为中芯国际的28纳米工艺提供高性能、高密度、低功耗的系统级芯片(SoC)设计支持。而分析中芯国际这些举动，目的不外乎获取移动与消费电子客户的青睐，与台积电等争抢在这一领域的客户资源。

就目前而言，28纳米工艺制程主要是为客户提供高性能应用处理器、移动机带及无线互联芯片，这些芯片应用于智能手机、平板计算机、机顶盒和互联网等移动计算及消费电子产品领域。据预期，主流的移动应用处理器在2015年前仍将采用28nm工艺。IHS预测，2012年～2017年间，纯晶圆代工厂28nm的营收潜力将继续以19.4%的复合年均增长率增长，并且中国大陆是全球增长最快的智能手机市场之一，因此抓住移动与消费电子两大市场对于中芯国际来说至关重要。

中芯国际此前已可向客户提供40纳米晶圆代工与技术服务，包括代工制造移动通信芯片。然而，随着业界对高性能、低功耗芯片需求的不断增长，28nm工艺已是势在必行。而要做好28nm，就必须解决低功耗问题。ARM的Artisan物理IP平台提供了全面的整套内存编译器、标准单元与逻辑IP以及通用型的接口产品，为低功耗SoC设计提供了基础构件。正如中芯国际设计服务中心资深副总裁汤天申博士所说：“我们对于能够支持ARM Artisan标准单元与新一代内存编译器感到十分高兴。这次与ARM的进一步合作将有助于我们的客户在成本与功耗上实现更优异的SoC设计。”

随着中芯国际28nm工艺正式量产，未来移动与消费芯片代工市场又将出现一支重要力量。