在近日于美国举行的年度国际固态电路会议(ISSCC)上，三星(Samsung)与
台积电(
TSMC)针对7纳米製程技术，分别提供了截然不同的观点；两家公司都是介绍SRAM技术进展，而该技术通常都是新一代节点的关键推手。
台积电的论文描述了一款
测试晶片，能做为商用元件而且号称拥有「健康的」良率；三星的论文则是叙述利用极紫外光(
EUV)微影修复显然是研发元件的经验，并透露7纳米製程可能还需要等待几年的时间。两家公司都想要成为提供先进製程晶圆代工服务的领导厂商，不过他们对于7纳米製程的策略却大不相同。
台积电显然是拿到了大部分的苹果(Apple) iPhone
处理器SoC生意，这需要每年在製程技术上有一些进展；因此
台积电已经开始为iPhone 7量产10纳米晶片，并得在明年为iPhone 8量产7纳米晶片。而没了苹果生意的三星，则可以在某种程度上的「名词游戏」中喘口气；因此该公司会稍微延后7纳米的量产时程，但以某种形式展现领导地位──就是
EUV。
与
英特尔(Intel)在
半导体製造领域各显身手、激烈竞争的两家公司都有了一些令人讚赏的进展，不过相关技术细节非常稀少；
台积电在ISSCC叙述了一款256Mbit的7纳米製程SRAM
测试晶片，储存单元区域达到0.027mm见方，如该公司记忆体部门总监Jonathan Chang在简报中所言：「是今年试产出的最小SRAM。」
（来源：ISSCC）
而产生的SRAM宏单元(macro)会是
台积电的16纳米制程版本之0.34倍，採用了7层金属层，整体裸晶尺寸则是42mm见方；Chang的简报中，关键内容是这颗SRAM几乎已经「全熟」，他表示：「我们现在已经能以非常非常健康的良率生产…与我们的设计目标相符。」
三星的进展则更偏向研究，开发的部分比较少；该公司打造了8 Mbit
测试SRAM，只能看到未来商用7纳米制程的一小部分。
三星提供了其7纳米SRAM (上)会比10纳米SRAM (下)小30%的概念影像
该晶片就其本身而言并不是以
EUV微影制作，三星开发了一种创新的维修(repair)制程，在现有的步进机以及
EUV设备上都
测试过，而并不令人惊讶的，
EUV的效果比较好；一般来说维修并不是制程，因此这项成果对于三星正在进行的7纳米制程
EUV微影技术开发情况，能透露的不多。
产业专家们大多认为，
EUV将能在2020年左右准备好应用于某些关键层的制造；三星在去年底表示，将在7纳米制程採用
EUV微影，但并没有透露其应用的侷限程度。
三星是否会在所谓的7纳米制程落后
台积电一年、两年甚至三年？结果仍有待观察。
三星可以在任何时候决定并根据现实情况定义其
EUV使用策略，而或许该公司届时也会在行销语言上说他们家的7纳米制程更先进，因为用了
EUV。
