单机实现三大基本特征分析功能的C-V测量系统
2010-02-26 10:20:04 本站原创吉时利仪器公司宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V测试模块,进一步丰富了4200-SCS半导体特征分析系统的可选仪器系列。它在 4200-SCS已有的强大测试环境中集成了超快的电压波形发生和电流/电压测量功能,实现了业界最宽的电压、电流和上升/下降/脉冲时间动态量程,大大 提高了系统对新材料、器件和工艺进行特征分析的能力。同样重要的是,利用4225-PMU可以像进行直流测量那样,轻松实现超快的I-V源和测量操作。其 很宽的可编程源与测量量程、脉宽和上升时间使得它非常适合于既需要超快电压输出又需要同步测量的应用——从纳米CMOS到闪存。
与之前需要多达三种不同测试台才能对器件、材料或工艺进行充分特征分析的方案不同的是,4225-PMU凭借其很宽的动态量程,只需一套仪器即 可完成对材料、器件和工艺的全方位特征分析。目前,实验室配置一套灵活的系统就可以处理所有三类测量操作:精密直流I-V测试(4200-SMU)、交流 阻抗(4210-CVU C-V仪器)和超快I-V或瞬态I-V测试(4225-PMU)。
单模块双通道集成式源和测量功能
每个4225-PMU模块提供了两个通道的集成式源和测量功能,但是仅仅占用九槽机架中的一个插槽。每个机架最多可安装四个这样的模块,实现最
高8个超快的源/测量通道。每个通道兼具高速电压输出(脉宽范围从60纳秒到直流)和同步电流与电压测量两大功能。这种模块实现了高速电压脉冲和同步电流
与电压测量功能,采集速率高达200兆次采样/秒(MS/s),具有14位模-数
可选的硬件扩展源-测量灵活性
每个4225-PMU模块可以配置多达两个可选的4225-RPM远程
支持丰富的材料、器件和工艺特征分析应用
4225-PMU和4225-RPM结合在一起能够实现其它单台仪器无法实现的多种应用所必需的工具功能。其中一些主要应用如:
通用超快I-V测量。脉冲式I-V测试具有很广泛的应用,它通过使用窄脉冲和/或低占空比脉冲而不是直流信号,能够防止器件自热效应。
CMOS器件特征分析。4225-PMU/4225-RPM的高速电压源和电流测量灵敏度使得它们非常适合于CMOS器件的特征分析,包括高k器件和先
进CMOS工艺,如绝缘体上硅(SOI)。
非易失性存储器测试。系统安装的KTEI软件提供了用于闪存和相变存储器(PCM)器件测试的工
具包。该系统非常适合于单个存储单元或小规模存储阵列的测试,例如研发或工艺验证之类的应用。
化合物半导体器件与材料的特征分析。
4225-PMU能够对III-V族材料进行特征分析,例如氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和其它一些化合物半导体。它允许用户设置一个脉冲偏移电
压,然后从非零值进行测量,从而研究器件的放大增益或线性度。
NBTI/PBTI可靠性测试。可选的4200-BTI-A超快BTI工具包
集成了实现所有已知BTI测试方法所需的全部硬件和软件,并且具有最快、最灵敏的测量性能。此外,自动特征分析套件(ACS)软件还支持全自动晶圆级和晶
匣级测试,内置NBTI/PBTI测试库,具有简洁易用的GUI。
四种可编程扫描选项
4225-PMU支持四种扫描类型:线性扫描、脉冲、任意波形和分段ARB®(已申请专利)。分段ARB模式简化了波形的创建、存储和生成过 程,最高支持由2048个用户自定义线段组成的波形,具有出色的波形生成灵活性。
高性能缆接
可选的多路测量高性能线缆套件能够实现4200-SCS和探测控制器的连接,简化在直流I-V、C-V和超快I-V测试配置之间的相互切换过 程,无需重新布线,增强了信号保真度。