宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年12月23日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。
Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出,以及即将发布的第四代600 V EF系列产品,Vishay可满足电源系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求—包括图腾柱无桥功率因数校正(PFC)和软切换DC/DC转换器拓扑结构。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。