Yole Development 的市场调查报告表明,自硅功率半导体器件诞生以来,应用的需求一直推动着结温升高,目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件(如SiC)出现以及日趋成熟和全面商业化普及,其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前的150℃迈向175℃,未来将进军200℃。借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势,这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。这些典型的、面向未来的高温、高功率密度应用,包括深度整合的电动汽车动力总成、多电和全电飞机乃至电动飞机、移动储能充电站和充电宝,以及各种液体冷却受到严重限制的电力应用。
最近,针对电动汽车和全电/多电飞机的功率电驱动应用,Cissoid还推出了三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系,该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低开关损耗技术,提供了一种已整合的解决方案,即IPM。IPM是由门极驱动电路和三相碳化硅功率模块组成,两者的配合已经过优化和协调,实现了SiC器件优势的充分利用。目前出品的CXT-PLA3SA12450AA模块的额定结温高达175°C,门极驱动电路可以在高达125°C的环境中运行。另外,随应用条件和场景的需求,通过更换更高等级的被动元器件和主要芯片及模块的封装可以进一步提升运行温度等级。
图2:CXT-PLA3SA12450AA三相全桥1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块