Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级，RDS(ON)和FOM达到业界出色水平，提高功率密度和效率
2020-10-28 09:10:25 Vishay
2020年10月27日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT，可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm单体封装中集成高边和低边MOSFET，导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）达到业界出色水平。
日前发布的双MOSFET比采用6 mm x 5 mm封装的双器件小65 %，是目前市场上体积最小的集成产品之一。除用于同步降压，DC/DC转换半桥功率级之外，新型器件还为设计师提供节省空间的解决方案，适用于真空吸尘器、无人机、电动工具、家庭/办公自动化和非植入式医疗设备的电机控制，以及电信设备和服务器的无线充电器和开关电源。
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
