东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦
2020-03-11 15:22:54 东芝
| 器件型号 | TLP5231 | |
| 绝对最大额定值 | 峰值高电平输出电流IOPH（A） | -2.5 |
| 峰值低电平输出电流IOPL（A） | +2.5 | |
| 电气特性 | VOUTP高电平输出电流IOUTPH最大值（A） | -1.0 |
| VOUTP低电平输出电流IOUTPL最小值（A） | 1.0 | |
| VOUTN高电平输出电流IOUTNH最大值（A） | -1.0 | |
| VOUTN低电平输出电流IOUTNL最小值（A） | 1.0 | |
| 高电平供电电流（VCC2）ICC2H最大值（mA） | 10.2 | |
| 低电平供电电流（VCC2）ICC2L最大值（mA） | 10.2 | |
| 高电平供电电流（VEE）IEEH最小值（mA） | -9.2 | |
| 低电平供电电流（VEE）IEEL最小值（mA） | -9.2 | |
| 阈值输入电流（H／L）IFHL最大值（mA） | 3.5 | |
| 建议工作条件 | 总输出供电电压（VCC2-VEE）（V） | 21.5至30 |
| 负输出供电电压（VE-VEE）（V） | 6.5至15 | |
| 正输出供电电压（VCC2-VE）（V） | 15至23.5 | |
| 开关特性 | 传播延迟时间（L／H）tpLH（ns） | 100至300 |
| 传播延迟时间（H／L）tpHL（ns） | 100至300 | |
| 传播延迟偏差（器件到器件）tpsk（ns） | -200至200 | |
| 高电平共模瞬态抑制 CMH最小值（kV/μs） |
±25 | |
| 高电平共模瞬态抑制 CML最小值（kV/μs） |
±25 | |
| 功能 | 保护功能 | IGBT VCE(sat)检测、 欠压锁定（UVLO）[4] |
| 反馈（故障）：在检测到VCE(sat)或UVLO（集电极开路输出）时激活 | ||
| 隔离特性 （@Ta＝25℃） |
隔离电压BVS最小值（Vrms） | 5000 |
| 机械参数 | 最小电气间隙（mm） | 8.0 |
| 最小爬电距离（mm） | 8.0 | |
| 内部最小隔离厚度（mm） | 0.4 | |
| 库存查询与购买 | 在线购买 | |
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