东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

2019-12-26 16:11:40 东芝

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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

MOSFET产品图

新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗；XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

应用：
・汽车设备
电源装置（DC-DC转换器）和LED头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）

特性：
・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装
・通过AEC-Q101认证
・低导通电阻：
RDS(ON)=4.1mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance（WF）封装

主要规格：
（除非另有说明，@Ta=25°C）

器件型号		XPH4R10ANB	XPH6R30ANB
极性		N沟道
绝对最大额定值	漏源极电压 VDSS （V）	100
	漏极电流（DC） ID （A）	70	45
	漏极电流（脉冲） IDP （A）	210	135
	沟道温度 Tch （℃）	175
漏源极导通电阻 RDS(ON)最大值（mΩ）	@VGS=6V	6.2	9.5
	@VGS=10V	4.1	6.3
沟道至外壳热阻 Zth(ch-c) 最大值 @Tc=25℃ （℃/W）		0.88	1.13
封装		SOP Advance（WF）
产品系列		U-MOSVIII-H	U-MOSVIII-H

注释：
[1] 截至2019年12月25日
[2] 在同样规格的产品中，截至2019年12月25日。东芝调查。

如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH4R10ANB.html
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH6R30ANB.html

如需了解有关东芝车载MOSFET的更多信息，请访问以下网址：
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/automotive/automotive-mosfet.html

*公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

关键词：东芝 MOSFET