在11月27日上午的工业报告主题板块,来自三菱电机半导体大中国区的高级工程师韩辉先生,发表了名为“感知IGBT芯片温度和电流的EV/HEV专用功率模块”的专题报告。报告主要围绕IGBT模块感知芯片温度和电流的特点和可靠性两方面进行展开。不同于传统的过温/短路保护方式,硅片上集成温度传感器可以直接检测IGBT结温,实现更安全、快速的IGBT过温保护,而硅片级电流传感器则可以感知IGBT电流,帮助实现更可靠的短路保护,从而保证模块更长久地运行。另外,韩辉先生还详细阐述了三菱电机汽车级功率模块如何实现高可靠性的技术原理。IGBT模块寿命的根源在于不同材料的热胀冷缩问题,三菱电机采用直接主端子绑定(DLB)技术,扩大绑定面积的同时提高功率循环寿命,更在散热基板和底板采用相同的铝材料,结合不需要焊接的灌装封装技术,从而有效提高热循环寿命,进而保证汽车级功率模块的可靠性。目前,三菱电机推出了基于该技术的非定制汽车级功率模块J1系列 EV PM及其解决方案。 三菱电机电动汽车用J1系列功率模块EV PM