台积电：7nm和5nm性能增强版制程已使用

2019-08-01 08:45:45 中关村在线

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台积电今年的日子可以说是结果的风生水起，近日，根据日本媒体报道，在日本举办的 2019 VLSI 研讨会上，台积电透露部分客户已可以用上 7nm 深紫外和 5nm 极紫外性能增强版本制造工艺。

据悉，N7P 采用经过验证的深紫外（DUV）光刻技术。与 N7 相比，它没有增加晶体管的密度。需要高出约 18~20％晶体管密度的客户，预计需要使用台积电的 N7+ 和 N6 工艺 —— 后者使用极紫外（EUV）光刻技术进行多层处理。

尽管 N7 和 N6 都是未来几年的“长”节点，但台积电会在下一个 N5 节点带来显著的密度、功耗和性能改进。

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关键词：台积电 7nm