发力QLC？英特尔明年将推128层NAND
2019-05-28 09:19:35 中关村在线
3D QLC
英特尔认为，TLC闪存也会被取代，QLC未来是要担大任的，并且表示他们的技术已经做到了让QLC闪存的电压控制跟TLC闪存一个级别，所以在使用寿命方面并不用过多担忧。
此外，Intel还提到在NAND闪存上他们起步要落后于三星等公司，但在3D NAND闪存时代追上来了，QLC闪存直接使用了64层堆栈，单核心容量就有1024Gb，预计2020年则会推出128层堆栈的QLC闪存。
免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，转载目的在于传递更多信息，并不代表EETOP赞同其观点和对其真实性负责。如涉及作品内容、版权和其它问题，请及时联系我们，我们将在第一时间删除！
EETOP 官方微信
创芯大讲堂 在线教育
创芯老字号 半导体快讯
相关文章
