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Sifotonics的10G-PON用1577nm APD指标有突破
2015-08-17 21:17:59
未知
Sifotonics最近在10G PON 1577nm APD产品的指标有突破,室温和高温灵敏度比传统III-V产品好0.5-1dB,已送样给国内外大客户认证。该产品将大批量用于下一代光纤到户10G PON设备中。
Sifotonics作为硅光电子技术领域的国际领先公司,致力于研发Ge/Si 材料,创始于麻省理工。公司投资的关键设备达世界领先水平,保证其批量生产能力。Sifotonics从成立之初就致力于硅光电子的集成, 作为硅基光电集成
芯片
技术的先驱者,公司开发了大规模光电集成
芯片
所需的关键技术,拥有十几项美国专利。SiFotonics的硅光子器件的性能一直在稳定提升, 10G和2
5G
APD凭借更高的雪崩增益带宽积,其关键的灵敏度指标已开始超越传统InP工艺的水平。10G APD产品的突破性进展,表明硅光子领域商用的时代已开始。
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