三星电子有限公司，世界领先的先进的存储技术，今天宣布，它已开始批量生产业界第一款256千兆（GB），三维（基于48层的3位多级单元（MLC）阵列用于在固态驱动器（SSD）的3D）垂直的NAND（V-NAND）闪存。

“随着我们推出的第三代V-NAND闪存的全球市场，我们现在可以基于改进的性能，功耗利用率和生产效率提供最佳的先进的内存解决方案，具有更高的效率，从而加速高增长性能和高密度的SSD市场，“杨铉俊，内存业务的总裁，三星电子表示。 “通过充分利用三星V-NAND的优良特性，我们将扩大我们的优质级业务的企业和数据中心的细分市场，以及在消费市场，同时继续加强我们的战略重点固态硬盘。”

三星新推出的256GB 3D V-NAND闪存双打常规128GB的NAND闪存芯片的密度。除了支持记忆存储32千兆字节（256千兆）在一个单一的芯片，新的芯片也将很容易翻番三星的SSD现有阵容的能力，并提供TB级SSD来说，是理想的解决方案。

三星推出了其第二代V-NAND（32层3位MLC V-NAND）芯片在2014年八月在短短一年内推出了其第三代V-NAND（48层的3位MLC V-NAND）芯片在继续领跑3D时代的记忆。

在新的V-的NAND芯片中，每个小区利用相同的3D电荷捕获闪存（CTF）结构，其中，单元阵列垂直层叠，以形成被电通过约180十亿通道孔相连通的阵列冲孔48层高的质量由于采用了特殊的蚀刻技术。总之，每个芯片包含超过85.3十亿细胞。它们每个可以存储数据的3位，结果256十亿比特的数据，换言之，256GB片上不超过一个指尖大。

一个48层的3位MLC 256GB V-NAND闪存芯片提供超过功率降低了30％，比32层，3位MLC，128GB V-NAND芯片，数据存储相同数量的时候。在生产过程中，新的芯片还实现了大约40％以上的工作效率，与32层的前辈，能带来多大的提升成本竞争力的固态硬盘市场，而主要是利用现有的设备。

三星计划生产第三代V-NAND整个2015年剩下的时间，使更多的加速采用TB级SSD的水平。虽然目前固态硬盘的引入与两个TB的密度及以上的消费者，三星还计划增加具有领先优势的PCIe NVMe和SAS接口的高密度固态硬盘的销售，为企业和数据中心的存储市场。