Hot Chip 2016大会上，内存技术突然成了一大热点，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代标准相继浮出水面，明后两年陆续就能见到。

这份发展规划主要来自存储大厂三星，美光也提出了一些想法，而新规范自然主要以提高速度、扩大容量、降低功耗为主。

RFI244CBTFBERFI144CBSEJNM+mDveadpeS6hu+8gQ==" src="http://www.eetop.cn/uploadfile/2016/08/3_201608240802221jFqC.png" style="border-bottom: black 1px solid; border-left: black 1px solid; border-top: black 1px solid; border-right: black 1px solid">

DDR5内存的设想是单条容量最小8GB、最大32GB，带宽最高6.4Gbps，两倍于DDR4，而电压和当前的DDR4一样维持在1.1V，这在历史上倒是第一次。

美光计划2019年量产DDR5，三星则计划2018年就行动。

GDDR6显存数据率将冲击14Gbps，高于现在的GDDR5X 12Gbps、GDDR5 10Gbps，电压则是1.35V。

LPDDR5内存之前其实还准备了个过渡性质的LPDDR4X，三星、海力士都有相关规划，速度从LPDDR4 3733Mbps提高到4266Mbps，VDDQ 0.6V、VDD 1.1V的电压则维持不变。

联发科Helio P20处理器已经第一个支持LPDDR4X，但这么一款中端芯片搭配最强内存有些不伦不类，而且事实上这颗处理器还没发布呢。

LPDDR5的目标是做到6400Mbps的超高带宽，VDDQ/VDD电压要比现在的0.6/1.1V更低，功耗有望降低最多20％，对未来的高端手机是一大福音。

HBM2刚刚开始量产，HBM3自然还得很久，预计2019-2020年才会推出。三星和海力士都已经投入研发，计划将单颗容量做到最大64GB，带宽则可达2TB/s。

RFI244CBTFBERFI144CBSEJNM+mDveadpeS6hu+8gQ==" src="http://www.eetop.cn/uploadfile/2016/08/3_2016082408022229ex8.png" style="border-bottom: black 1px solid; border-left: black 1px solid; border-top: black 1px solid; border-right: black 1px solid">

RFI244CBTFBERFI144CBSEJNM+mDveadpeS6hu+8gQ==" src="http://www.eetop.cn/uploadfile/2016/08/3_201608240802223Pv1v.png" style="border-bottom: black 1px solid; border-left: black 1px solid; border-top: black 1px solid; border-right: black 1px solid">

RFI244CBTFBERFI144CBSEJNM+mDveadpeS6hu+8gQ==" src="http://www.eetop.cn/uploadfile/2016/08/3_201608240802224lFZe.png" style="border-bottom: black 1px solid; border-left: black 1px solid; border-top: black 1px solid; border-right: black 1px solid">