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格芯为高性能应用推出全新12纳米FinFET技术
2017-09-27 14:18:43
未知
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全新12LP技术改善了当前代产品的密度和性能平台增强了下一代
汽车
电子及
射频
/模拟应用的性能
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET
半导体
制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米FinFET产品的密度和性能,同时满足从
人工智能
、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。
这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米FinFET解决方案相比,电路密度提高了15%,性能提升超过10%。这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米FinFET产品竞争。这项技术利用了格芯在纽约萨拉托加县Fab 8的专业技术,该工厂自2016年初以来,一直在大规模量产格芯的14纳米FinFET平台。
“世界正在处于向智能互联时代转型之中,这是一个前所未有的趋势。”格芯首席执行官桑杰·贾(Sanjay Jha)表示,“全新的12LP技术以更高的性能和密度帮助我们的客户在系统层面上继续创新,包括实时连接以及从高端图像处理、
汽车
电子到工业应用等边缘处理。”
“我们很高兴能进一步拓展与格芯长期以来的合作关系,成为他们全新12LP技术的主要客户,”
AMD
首席技术官及技术与工程高级副总裁Mark Papermaster表示,“2017年,得力于我们与格芯的深度合作,
AMD
使用14纳米FinFET技术将一系列领先的高性能产品推向市场。我们很高兴能与格芯在全新12LP工艺技术上进行合作,这也是我们加速产品和技术发展的一部分。”
除了晶体管级的增强,12LP平台还将包括专为业内增长最快的两个领域——
汽车
电子和
射频
/模拟应用而设计的面向市场的全新功能。
汽车
安全和自动驾驶方面的新兴
汽车
应用对于处理功耗和极致可靠性都有极高要求。12LP平台兼具这两种功能,并计划于2017年第四季度在Fab 8进行
汽车
二级资格认证。
新
射频
特性拓展了12LP平台在6GHz以下无线网络中的高级收发器等
射频
/模拟应用。/12LP为以数字逻辑为主,
射频
/模拟内容较少的
射频
芯片
架构提供最佳逻辑和内存微缩。
格芯的全新12纳米FinFET技术是现有12纳米FD-SOI产品12FDX
TM
的补充。虽然有些应用要求FinFET晶体管的卓越性能,但许多连接设备需要高度的集成,以及更灵活的性能和功耗,而这是FinFET无法实现的。12FDX为下一代智能互联系统提供了一种替代路径,实现了10纳米FinFET的性能,且比当前代FinFET产品功耗更低,成本更低,
射频
集成更优。
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