三星推出45纳米嵌入式闪存
据外媒消息,三星电子日前推出了一款采用45纳米制造工艺的嵌入式闪存和flash内存嵌入式智能IC卡测试芯片,该技术后期将被融入到智能集成电路卡。
关于三星的嵌入式闪存,它支持闪存内部数据自动记忆。
值得一提的是,这款强劲的芯片将与家用电器、移动设备和汽车领域紧密整合。
关键词:
EETOP 官方微信
创芯大讲堂 在线教育
创芯老字号 半导体快讯
相关文章