ARM：期待14nmFinFET制程技术有所突破提升技术进度
2013-05-02 22:15:27 本站原创自从ARM决定从行动装置跨足到伺服器市场后，无不加快自己在制程技术上的脚步，好能跟Intel一决高下，不过当然还是必须协同主要合作夥伴(台积电与三星)的技术进度。对ARM来说，去年年底宣布成功试产(TapeOut)14nmFinFET制程技术的三星，将是有助于提高自家处理器效能的关键，但目前仍有技术上的问题必须克服。
日前ARM已正式对外公布2013年Q1财报，营收同样继续维持成长，主要营收的大多比重皆是来自于IP技术授权(ARMv8、Mali、big.LITTLE技术)。而低功耗一直以来都是ARM的强打特色，不过，随着效能的不断提升，功耗问题就更明显，反观Intel这一两年开始对低功耗市场投以关爱眼神，再加上在制程技术方面Intel明显优于其他大厂，未来能够推出高效能兼具低功耗的处理器也不无可能。
ARM表示，目前所合作的夥伴是透过DVFS(动态电压与频率调节)技术来设计SoC，除了能够提升性能亦可降低负载，并且受惠于14nmFinFET制程技术更低的工作电压，以及扩大在低档和过载条件下的电压范围，让ARM的Big.Little架构能够在中低程度的工作负载下，得以提高高阶产品的效能，同时更具效率。
不过随着半导体技术所面对的困难及复杂程度日益距增，就连是身为半导体龙头的Inte同样在半导体路上举步维艰。反观对于正在期待14nmFinFET制程技术有所突破的ARM而言，不仅要面对希望产品尽快上市的压力，更希望处理器能够更加进步，毕竟想要跟Intel在行动装置与伺服器市场比拼，就必须尽快提升自家与合作夥伴的技术进度。
