TDK-EPC推出一款基于SESUB新型集成技术

2011-03-28 19:54:41 本站原创

  TDK-EPC下属EPCOS公司推出一款基于SESUB新型集成技术。与以往的技术相比,这个源自TDK嵌入式硅基板的SESUB,不仅可集成被动电子元器件,如电容器、电感器、压敏电阻器或SAW和BAW滤波器,而且能集成半导体

TDK-EPC的SESUB工艺满足小型化需求

   据EPCOS大中华区声表面波元件产品市场总监徐冰辉介绍,SESUB允许高度集成的专用集成电路(ASIC)与含有大量细微输入输出线的控制器芯片直接嵌入基板层。无法嵌入基板的零件则可安装在多层基板的顶部。通过此方法,模块和系统级封装(SIP)可实现更为细小的尺寸:其嵌入高度可减少约35%,如从1.55毫米减至1.0毫米以下。这是由厚度仅为300微米的超薄多层基板来实现。互联结构和通道的内部尺寸均不超过40微米。EPCOS的新一代导向声体波(GBAW)滤波器技术能进一步减小未来模块的嵌入高度。

  徐冰辉表示,SESUB也可明显减少新型模块的底面积:由于集成了半导体元件,模块的底面积可减少40%以上,相比分立解决方案,可减少70%。该产品同样具有良好的电磁兼容性(EMC)以及优越的热性能。

  EPCOS在三维射频(3D-RF)设计领域的能力以及TDK的SESUB基板技术,使得TDK-EPC进一步推动整体射频前端解决方案的微型化。这意味着未来手机在保持紧凑尺寸的同时,可支持更多功能和额外频段的服务。新型模块结构比以前更大程度地减少了手机制造商耗时的设计工作。此外,由于仅需要一个SIP零件即可替代大量的分立元件,因此制造商的物流费用也相应减少。

  徐冰辉表示,SESUB作为一个新型的集成平台并非仅适用于射频模块,SESUB同样可用来实现微型DC/DC变频器,并将其用于手机、消费装置以及汽车电子器件。此项新型集成技术的高可靠性已在数项测试中得到证实。

  SESUB主要用途:高集成前端模块及微型DC/DC变换器;主要性能和优点:相比常规模块嵌入高度可减少约35%,相比分立解决方案面积要求可减少70%;同时具有高可靠性和极大的灵活性。

  在创新工艺基础上,EPCOS还面向消费电子、电源领域推出了最新器件:

  全球最小的数字界面MEMS麦克风

TDK-EPC的SESUB工艺满足小型化需求

   EPCOS的T4030是全球最小的、集成了数字界面的麦克风,尺寸仅为3.25 × 2.25 × 1.1 mm³,比同类产品小60%。使手机、MP3和数码相机等消费电子产品能实现更加紧凑的设计。

  T4030的灵敏度为-26 dB FS(满刻度),信噪比为60 dBA。即便在100 dB的声平下,它的失真度仍然低于1%。频率响应特点为高带宽和低振幅波动。由于采用了数字式PDM(脉冲密度调制) 输出,T4030具有极高的抗电磁干扰能力,电源噪声抑制能力为-82 dB FS。

  焊片电容器基底冷却的优化

TDK-EPC的SESUB工艺满足小型化需求

   新推出EPCOS生产的焊片式铝电解电容器,因与散热片有良好接触,链路电容器可以高效冷却,从而大大提高了波纹电流能力和使用寿命,适合应用于可提供基底冷却的波纹电流负载极高的变频器和专业电源

  用于基底散热的焊片电容器包括B43540*(85 °C)、B43543*(105 °C)和B43505*(105 °C)系列,尺寸介于30 x 35 mm至35 x 55 mm。

  紧凑型反激变压器

TDK-EPC的SESUB工艺满足小型化需求

   EPCOS新推出的紧凑型SMD反激变压器,用于紧凑型电源。由于采用EFD磁心,不同类型变压器的插入高度仅8.65至14.8毫米。

  新B82802*系列包括三种磁心尺寸,功率范围介于12至55 W。SMD逆向变压器适合于36至60 V的输入电压、100 kHz时钟频率和最高50%的负荷比。在标准版本中,输出功率在两个或三个绕组之间分割,这产生了3.3 V电压,电流为1.2至3.3 A;5 V电压,电流为0.8至5.5 A;12V电压,电流为0.5至2.3 A。

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