现在常用的稳压管的主要材料是半导体硅。
在硅稳压管的反向电压击穿区内，电流变化很大，而其电压基本不变。
在小于5V的稳压管，主要是齐纳击穿，大于7V的稳压管，主要是雪崩击穿，在5—7V间，两种击穿同时存在。

要理解稳压二极管的工作原理，只要了解二极管的反向特性就行了。所有的晶体二极管,其基本特性是单向导通。就是说，正向加压导通，反向加压不通。这里有个条件就是反向加压不超过管子的反向耐压值。那么超过耐压值后是什么结果呢？一个简单的答案就是管子烧毁。但这不是全部答案。试验发现，只要限制反向电流值（例如，在管子与电源之间串联一个电阻），管子虽然被击穿却不会烧毁。而且还发现，管子反向击穿后，电流从大往小变，电压只有很微小的下降，一直降到某个电流值后电压才随电流的下降急剧下降。正是利用了这个特性人们才造出了稳压二极管。使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。

FTZ5.6ET148
MTZJT-7715B
RLZTE-1120A
RLZTE-1122B
RLZTE-1127B
RLZTE-114.3B
RSB6.8STE61
UDZSTE-172.4B
UDZSTE-1730B
UDZSTE-175.1B
UDZSTE-175.6B
UDZSTE-176.2B
UDZSTE-176.2B
UMZ1NTR
UMZ6.8ENTR
UMZ8.2NT106

RLZTE-1122B
制造商:  ROHM Semiconductor   
 
齐纳电压:  21.175 V   
 
电压容差:  3 %   
 
功率耗散:  500 mW   
 
封装 / 箱体:  LLDS   
 
最大反向漏泄电流:  0.2 uA   
 
最大齐纳阻抗:  30 Ohms   
 
配置:  Single  
 
测试电流:  5 mA